Semiconductor Process
반도체 공정
ASE에서 제공가능한 공정을 소개합니다.
2inch wafer부터 12inch wafer까지 원하는 size의 공정 지원
Contact aligner부터 ArF lithography 장비를 이용하여 공정 지원 가능
Slurry 최적화를 통하여 어떤 pattern이라도 평탄도를 맞추는 CMP 공정 지원 (특히 MEMS 또는 NEMS 공정에서 CMP 최적화 가능)
Wafer bonding 및 edge trimming 공정 지원 가능
Contact aligner, Stepper, E-beam, Nanoimprint 등
2" ~ 12" 다양한 공정 능력은 패턴 해상도에 따라 달라집니다.
Dry etching(RIE, ICP), Wet etching, lift-off 등
2"~8" Various process capability depends on pattern resolution. 2" ~ 8" 다양한 공정 능력은 패턴 해상도에 따라 달라집니다.
다양한 CMP(Metals, Insulations, Substrates), 다양한 연마재(Substrates).
~ 12" CMOS 이미지 센서, RF 소자, 다양한 MEMS 및 3D 집적 소자 등의 슬러리 구성 수준 및 프리 본딩 표면 제어로 최적화 된 공정 제안
저온 플라즈마 접합 (융착), 실내 온도 접합 (표면 활성화 본딩), 공융 접합 (솔더 본딩), 본딩에 금속 디퓨스, 유리 융착, 점착 결합
2"~ 12"다양한 접착 방법이 가능하며 상온 접합의 필요성을 충족시킵니다.
Sputtering, Evaporation, CVD, ALD, Electroplating 등
2"~ 12" Sputtering시 120 종류가 넘습니다.
Ion implantation, Dicing, Back Grinding, Edge Trimming 등